Senis磁場(chǎng)傳感器F3B

產(chǎn)品介紹

F3B 代表 SENIS 系列磁場(chǎng)-電壓轉(zhuǎn)換器，該系列產(chǎn)品配備了完全集成的三軸霍爾探頭。

所采用的霍爾探頭內(nèi)置CMOS集成電路，其中包含三組相互正交的霍爾元件、偏置電路、放大器以及溫度傳感器。

集成式霍爾元件占用面積極?。?.15 × 0.15 mm²），從而為探頭提供了更高的空間分辨率。

全集成CMOS三軸霍爾探頭（Bx、By、Bz），可使用其中一個(gè)、兩個(gè)或三個(gè)通道。

很高的空間分辨率：By：0.03 × 0.005 × 0.03 毫米³；Bx 和 Bz：0.15 × 0.01 × 0.15 毫米³

高角度精度：探頭三個(gè)測(cè)量軸之間的正交誤差小于1°，通過(guò)應(yīng)用經(jīng)過(guò)顯著優(yōu)化的測(cè)量算法，其測(cè)定精度優(yōu)于0.1°。

高頻帶寬（-3 dB）：max直流至25 kHz。

極低的平面霍爾電壓

探頭內(nèi)置溫度傳感器，用于溫度補(bǔ)償。

探頭上的感應(yīng)環(huán)路可忽略不計(jì)，等等。

產(chǎn)地	瑞士
直流測(cè)量精度 @B< ±B_LR	高< 0.1 % < 0.5 %
	低< 1 %
	在直流場(chǎng)中以滿量程的百分比進(jìn)行測(cè)量。
輸出電壓	差分（±10 V @ ±B_FS）
靈敏度公差 (Serr) @B < ±B_LR	高< 0.03 % < 0.2 %
靈敏度公差 (Serr) @B < ±B_LR	低< 0.3 % < 0.5 %
非線性（NL）@ B < ±B_LR	高< 0.05 % < 0.2 %
非線性（NL）@ B < ±B_LR	低< 0.2 % < 0.5 %
平面霍爾電壓 (V_planar) @ B < ±B_LR	< V_normal 的 0.01 %
靈敏度的溫度系數(shù)	< ±100 ppm/°C (0.01 %/°C)（@ 溫度范圍
靈敏度的長(zhǎng)期穩(wěn)定性	10年內(nèi) < 1 %
偏移量（@ B = 0 T）	< ±0.1 mT < ±0.3 mT < ±0.6 mT < ±2 mT（@ 溫度范圍：(25 ± 10) °C）
偏移溫度系數(shù)	< ±0.002 mT/°C < ±0.005 mT/°C < ±0.05 mT/°C < ±0.4 mT/°C
輸出噪聲
1/f 噪聲譜密度 @ f = 1 Hz	< 1 µT/Hz¹/² < 2 µT/Hz¹/² < 7 µT/Hz¹/² < 40 µT/Hz¹/² （1/f 噪聲區(qū)域）
截止頻率 (f_C)	~10 Hz （此時(shí) 1/f 噪聲 = 白噪聲）
噪聲譜密度 @ f > f_C	0.7 µT/Hz¹/² 0.8 µT/Hz¹/² 2 - 3 µT/Hz¹/² 16 µT/Hz¹/² （白噪聲區(qū)域）
輸出阻抗	< 1 kΩ，短路保護(hù)
直流功耗
電壓	24 V（標(biāo)稱值），±2 %
max紋波	100 mVpp
電流	≈ 0.12 A
工作溫度	(+5, +45) °C
存儲(chǔ)溫度	(-20, +85) °C

永磁體的特性分析與質(zhì)量控制。

磁體系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)。

真實(shí)的3D磁場(chǎng)成像。

磁體系統(tǒng)（發(fā)電機(jī)、電動(dòng)機(jī)等）的質(zhì)量控制與監(jiān)測(cè)。

在實(shí)驗(yàn)室和生產(chǎn)線等場(chǎng)景中的應(yīng)用。