S-SiCap Stack Silicon Capacitor)矽電容系列產(chǎn)品使用DRAM堆疊式電容技術(shù)開發(fā)而成，相比深溝式電容技術(shù)(Deep Trench Capacitor)所開發(fā)的電容產(chǎn)品, S-SiCap的單位面積電容密度更高、體積更小更薄，且具有非常好的溫度與高頻操作下高的電壓穩(wěn)定性。

為AI服務(wù)器GPU、HBM高帶寬顯存提供就近穩(wěn)壓支撐，大幅降低電源紋波，提升芯片瞬態(tài)響應(yīng)能力，單顆AI芯片可配套數(shù)百顆該類硅電容，保障高負載下算力穩(wěn)定釋放。

• 高電容值密度可達5uF/mm2
• 高自諧振頻率低等效串聯(lián)電感及等效串聯(lián)電阻
• 薄型化厚度需求，厚度<100um
• 客制化尺寸，為您客制合適性能的產(chǎn)品