產地

法國

等離子腔體 / 噴頭規(guī)格（3 種標配）

有效處理幅寬

25mm / 40mm / 105mm 三款等離子密封噴頭，輝光等離子全封閉在噴頭內部，無外溢離子轟擊工件

放電類型

封閉式 DBD 介質阻擋輝光常壓等離子，同一噴頭免改氣源切換氧化 / 還原工藝

處理間距

噴頭與工件固定標準 3～8mm（出廠標定）

等離子溫度

低溫制程＜45℃，CMOS、裸芯片無熱損傷

RF 射頻電源參數(shù)

工作頻率

13.56MHz工業(yè)射頻標準

輸出功率

60～100W 連續(xù)可調，內置全自動阻抗匹配網絡

功率監(jiān)控

實時正向 / 反射功率采集、過載聯(lián)鎖斷電保護

電源制式

內置整機 EMC、ESD 防雷防靜電設計

X-Y-Z 數(shù)控運動平臺（半自動化載臺）

適用工件尺寸

芯片 Die / 晶圓 2mm～300mm（12 寸），兼容 2 寸 / 4 寸 / 6 寸 / 8 寸 / 12 寸晶圓ONTOS

工件厚度

標配帶頂針≤20mm；拆除頂針更大承載 30mm

掃描速度

1.0～5.0mm/s 可編程無級調速，工藝配方鎖定速度參數(shù)ONTOS

固定方式

真空吸附吸盤 + 升降頂針，真空源：20～25inHg 負壓

軸行程

X 軸≥320mm、Y 軸≥320mm、Z 軸手動微調（升降噴頭）

氣路控制系統(tǒng)（MFC 氣體模組）

氣路通道

標配6 路高精度數(shù)字 MFC 質量流量計，1/4 寸特氟龍 + 卡套管路（Swagelok 接頭）

標配工藝氣體

載氣：Ar 氬氣、He 氦氣；工藝氣：O?氧氣（氧化除膠活化）、H?氫氣（金屬除氧化層）、N?氮氣（鈍化防返氧化）

氣源壓力

0.3～0.5MPa，半導體級高純氣源

尾氣排放

1～3CFM 風量直排，無需廢氣洗滌塔 / 水洗裝置

電控與操作系統(tǒng)（半自動化定義）

人機

工業(yè)觸控屏 + LabVIEW 定制控制系統(tǒng)，多組工藝 Recipe 配方存儲調用（不限條數(shù)）

安全

整機 ESD 防靜電柜體、柜門安全互鎖，開門即切斷等離子輸出

運行模式

人工上下料（半自動）→存儲配方一鍵啟動→平臺自動掃描處理；預留 IO 接口可后期改全自動連線

電氣安裝條件

供電

單相 110/240VAC，50/60Hz，額定 4～8A

工藝功能參數(shù)

除膠

O?等離子去除光刻殘膠、脫模劑、有機污染物

活化

提升塑膠 / 陶瓷 / 金屬表面能，強化點膠、鍵合、粘接

還原

H?去除 Cu、Al、Au、Si 原生氧化層

鈍化

N?氣相鈍化，壓制清洗后金屬二次返氧化

整機物理尺寸

柜體立式一體化，占地約：W750×D700×H1250mm

凈重≈125kg，潔凈車間 Class1000 適配